PN二極體是由 P 型半導體 和 N 型半導體 組成。

關於半導體

PN接合-PN二極體

1-P或N單獨使用
類似電阻的功能
2-空乏區（depletion region）
PN接合面（P-N junction）附近沒有載體（電子或電洞），只有離子之區域
3-障礙電位（potential barrier）
空乏區的離子所產生力量，用以阻止電子、電洞通過接合面

Si二極體

Ge二極體

（零）元件

Si二極體

Ge二極體

電阻

（一）順向電壓降

1) 接線如圖（紅色測試棒接到 VΩ插座，黑色測試棒接到 COM 插座）。
2) 功能範圍選擇開關，選在 ->– 位置。
3) 測試棒另外兩端與二極體並聯。
紅色測試棒另一端接二極體的 P 極，黑色測試棒另 一端接二極體的 N 極。
4) 從液晶顯示器讀取的值為二極體的順向電壓降（ ）。

（二）順向偏壓V-I曲線

量測 順向電壓 與 順向電流

（三）逆向偏壓V-I曲線

漏電電流
實際的P-N接合面再加上逆向偏壓時，會有一“極小”之電流存在。稱此電流為“漏電電流”。
與逆向偏壓之大小無關，卻與溫度有關。無論鍺或矽，每當溫度升高十度， 就增加為原來的兩倍。

（四）接示波器量動態曲線

使用示波器量測動態曲線時，CH1 和 CH2的負端要接在一起。
CH2的反相功能要打開。