摻雜（Doping）：
P型半導體：
摻雜三價元素（硼B、鋁 Al、鎵 Ga、…）
P 表示positive；電洞可視為正電荷。
由於加入三價元素後會造成一個空缺，故三價元素又被稱為“受體原子”。
N型半導體：
摻雜五價元素（磷P、砷 As、碲 Ti、…）
N 表示negative；電子帶負電。
由於加入五價元素後會增加電子，故五價元素又被稱為“施體原子”。
PN二極體：
當P-N結合起來時，接合面（P-N junction）附近的電子會填入電洞中。
靠近接合面的N形半導體失去了電子後便成正離子，P形半導體失去了一些電洞後就變成負離子。
此時正離子會排斥電洞，負離子會排斥電子，從而阻止了電子與電洞的繼續結合，因而產生平衡狀態，使得作用不再發生。
在PN接合面（P-N junction）附近沒有載體（電子或電洞），只有離子之區域稱為空乏區（depletion region）
加偏壓：
順向偏壓：空乏區變小
逆向偏壓：空乏區變大
