電晶體依所加偏壓不同,可分成三個工作區域。
1)飽和區(saturation region)
及 均為順偏。當電晶體給足夠大的 時,已無法再增加 ,此時電晶體為飽和狀態,將此時的 記錄為 ,為最大值。
集極C和射極E間的電阻非常小,,此時電晶體為飽和狀態(即,電晶體處在ON-通路的狀態。)
2)主動區(active region)
電晶體被拿來作為放大器使用時,即在主動區工作。
當 順偏、逆偏。此時 ,電晶體工作於線性放大區, 控制 ,BJT電晶體當成訊號放大器使用。
3)截止區(cutoff region)
當 、 均為逆偏。此時 ,所以 ,集極C和射極E間的電阻非常大,。此時電晶體為截止狀態(即,電晶體處在OFF-關閉的狀態。)
圖以NPN電晶體為例。電晶體有兩個PN接面, 接面和 接面。
在 接面和 接面施予不同偏壓,使得電晶體在不同工作區域工作。
施加偏壓方式:
接面 | 接面 | 工作區 | |
(1) | 順偏 | 順偏 | 飽和區 |
(2) | 順偏 | 逆偏 | 主動區 |
(3) | 逆偏 | 順偏 | 主動區 |
(4) | 逆偏 | 逆偏 | 截止區 |
(1) 順偏和 順偏:
。
此時電晶體視為飽和(ON)的狀態。
(2) 順偏和 逆偏:
一般作為線性放大電路使用。又稱為順向主動區。
(3) 逆偏和 順偏:
此為逆向主動區。
(4) 逆偏和 逆偏:
此時電晶體為截止(OFF)狀態。