半導體雷射
體積小、耗能少、效益高且壽命長，易由電流大小來調制其輸出功率 and...便宜！
外加電流必須大於臨界電流才能滿足居量反轉條件而發出雷射光。
臨界電流大小與接面溫度有關，間接影響發光效益，在高溫操作時，臨界電流因此提高，效益會降低，甚至元件會因此損壞。
直接躍遷
電子由高能階的導電帶直接躍遷到低能階的價電帶，此時電子的動量不變，與電洞結合後的能量差，以光的形式放出能量。
光波長 
間接躍遷
半導體雷射的結構：
1）均質結構（Homostructure）
早期的半導體雷射二極體（Laser Diode，LD），是由 P 和 N 型都是同質的半導體所組成，由 P-GaAs 及 N-GaAs 構成單接面。加上順向偏壓後，電子被注入P型區而發光。兩端面因由晶体切割而形成一對鏡面，組成雷射共振腔，同時造成雷射作用使得輸出光功率增強。
此種結構有兩個缺點。第一，對光及注入電流的控制太差，導致發光效率相當低；第二，只能在低溫下操作，因此實用性不佳。
2）單異質結構（Single Heterostructure，SH）
針對均質結構雷射的缺點所發展出來的，由不同材質的 P 型和 N 型所形成。
反應區兩邊為 P-AlGaAs 及 N-GaAs 組成，只有一邊是異質結構，因此稱為單異質結構。
3）雙異質結構（Double Heterostructure，DH）
反應區兩邊都由能隙較大的材料所組成。
光腔 P-GaAs 被夾在 P-AlGaAs 和 N-AlGaAs 兩個能隙較大的材料之間，由於 AlGaAs 可以將注入的電子與電洞同時圍阻，而且因為折射率的差異，可以防止雷射光從光腔的兩邊逸出，因此兩邊均提高了發光效率。
商品型的半導體雷射，大多採用此種結構。
4）量子井結構（Quantum well）
當雙異質結構的活性層厚度只有 100Å左右時，電子的波動性質會較為顯著，此時必須考慮到量子效應造成的影響。
5）垂直共振腔面射型雷射（Vertical cavity surface emitting laser）