NOTE:講義有改版,此實驗以講義為準。這邊是參考用!
【一】架構聲光效應實驗的裝置
【二】聲光晶體基本特性:偏折角度與聲波頻率之關係
【三】聲光晶體基本特性:繞射效率與聲波功率之關係
【四】聲光調制的觀察-繞射與調變振幅的關係
【五】聲光調制的應用
【零】儀器的使用
高頻訊號產生器-HP 8657A
1=) 0dBm 依序按下高頻信號產生器在Carrier工作區的AMPTD鍵,按下 或 鍵,調整 dBm 大小至 0dBm。
2=) 80MHz 先按Carrier工作區的FREQ鍵,再按DATA工作區 ”8” + ”0” + ”MHz” 按鈕。
3=) 0% 確定高頻信號產生器不在調制模式(Modulation工作區按下“OFF”,Modulation顯示0.0%)。
【一】架構聲光效應實驗的裝置
高頻訊號產生器設定為【50%】【80MHz】【0dBm】,提供訊號給放大器。
電源供應器提供 15V 直流電壓給放大器。(電源供應器已經調整好,不要再去動任何旋鈕,只要打開電源開關即可。)
(圖)高頻放大器
放大器輸出訊號給聲光晶體。
(圖)聲光晶體
微調聲光晶體的角度,直到在屏幕上可看到偏離原光點的其它繞射光點,並使一級繞射光點(緊隔原光點左方或右方的光點)強度最強。
原光點的兩側為一級繞射光,再往外則為二級繞射光:
電源供應器關閉---只有原光點。
電源供應器打開(提供 15V 直流電壓)---有繞射光。
【二】聲光晶體基本特性:偏折角度與聲波頻率之關係
原光點與一級繞射光光點的距離為 x,若光點間距離 x 太短不好量測,則可調整聲光晶體與屏幕間的距離 L(建議 L~70cm,視需要~可以再拉長距離)。
改變聲波頻率(高頻訊號產生器),觀察並記錄 x 的變化情形。
:光波波長,半導體雷射650nm,氦氖雷射632.8nm
:聲波波長
【三】聲光晶體基本特性:繞射效率與聲波功率之關係
1=)將光功率計對準原光點(此時電源供應器要『關閉』),測量原光點的強度=______mW
2=)電源供應器開啟,光功率計對準一級繞射光(哪個光點強,就對準那一個~~)
3=)設定高頻訊號產生器的頻率為80MHz,改變高頻訊號產生器的輸出振幅(AMPTD),紀錄一級繞射光的輸出功率。
計算繞射效率。
這邊要留意:振福必須 < 0 dBm,不能往上調。
【四】聲光調制的觀察-繞射與調變振幅的關係
1=)高頻訊號產生器:80MH,AMPTD調至 0 dBm。AM百分比調為50%。
低頻波形產生器:可以先不開,或先不要 "OUTPUT"
紀錄高頻訊號產生器的振幅=______Vp-p
2=)低頻波形產生器:設定輸出為200Hz,200mVp-p。
改變低頻波形產生器輸出振幅為200mVp-p、500mVp-p、1Vp-p、1.2Vp-p、1.5Vp-p,示波器存圖。
觀察調變結果。
補充1:
補充2:
3=)確定一級繞射光最強,若不是,要重新微調聲光晶體,再去做下一步驟實驗。
示波器:CH1耦合設定為直流(DC)。觸發(trigger)設為 CH2。
光偵測器的光窗對準一級繞射光。
微調光偵測器確定接收位置最好。
4=)改變低頻訊號產生器的輸出振幅(不要超過 ),紀錄一級繞射光的輸出訊號振幅。
5=)響應頻率
a-低頻訊號產生器設定為 ,200Hz。
b-記錄示波器CH1的輸出振幅=______ = 振幅百分比 100%
計算 振幅百分比 90%=____
計算 振幅百分比 80%=____
計算 振幅百分比 70%=____
計算 振幅百分比 60%=____
c-改變(增加)低頻訊號產生器的輸出『頻率』,觀察一級繞射光的輸出訊號振幅。
當一級繞射光的輸出訊號振幅大小為 時,記錄此時低頻訊號產生器的輸出頻率=____Hz。
繼續增加低頻訊號產生器的輸出『頻率』
當一級繞射光的輸出訊號振幅大小為 時,記錄此時低頻訊號產生器的輸出頻率=____Hz。
當一級繞射光的輸出訊號振幅大小為 時,記錄此時低頻訊號產生器的輸出頻率=____Hz。
當一級繞射光的輸出訊號振幅大小為 時,記錄此時低頻訊號產生器的輸出頻率=____Hz。
根據以上記錄,當一級繞射光的輸出訊號振幅大小為 時,此時低頻訊號產生器的輸出頻率為系統的高頻截止頻率。
【五】聲光調制的應用
手機音源訊號接到高頻訊號產生器,經由聲光效應系統調變並傳輸,最後由擴音喇叭播放聲音。
提醒1:隨便點選一個youtube影片...有聲音的就可以。
提醒2:實驗室裡的是一般 3.5mm to USB 的音源訊號線。
提醒3:可以調整手機音量大小,聽聽看接收端音量是否會跟著變化?
提醒4:如果擴音喇叭的音量還是太小,試著微調雷射進入AO晶體的角度--微調AO晶體的高度角度或是微調雷射方向。或是拿掉線偏振片PL,讓進入聲光晶體的光強度最大。
利用 iPhone 手機輸出音訊:
利用 OPPO 手機輸出音訊: