電晶體的三個工作區

電晶體依所加偏壓不同，可分成三個工作區域。

1）飽和區（saturation region）

$V_{BE}$ 及 $V_{BC}$ 均為順偏。當電晶體給足夠大的 $I_B$ 時，已無法再增加 $I_C$ ，此時電晶體為飽和狀態，將此時的 $I_C$ 記錄為 $I_{C(sat)}$ ， $I_C$ 為最大值。

集極C和射極E間的電阻 $R_{CE}$ 非常小， $V_{CE}=0.1-0.3V$ ，此時電晶體為飽和狀態（即，電晶體處在ON-通路的狀態。）

電晶體被拿來作為放大器使用時，即在主動區工作。

當 $V_{BE}$ 順偏、 $V_{BC}$ 逆偏。此時 $I_C = \beta I_B$ ，電晶體工作於線性放大區， $I_B$ 控制 $I_C$ ，BJT電晶體當成訊號放大器使用。

當 $V_{BE}$ 、 $V_{BC}$ 均為逆偏。此時 $I_B = 0$ ，所以 $I_C=0$ ，集極C和射極E間的電阻非常大， $V_{CE(cut-off)} = V_{CC}$ 。此時電晶體為截止狀態（即，電晶體處在OFF-關閉的狀態。）

圖以NPN電晶體為例。電晶體有兩個PN接面， $J_E$ 接面和 $J_C$ 接面。

在 $J_E$ 接面和 $J_C$ 接面施予不同偏壓，使得電晶體在不同工作區域工作。

施加偏壓方式：

(1) $J_E$ 順偏和 $J_C$ 順偏：

$I_C=I_{C(max)}$ 。

此時電晶體視為飽和（ON）的狀態。

(2) $J_E$ 順偏和 $J_C$ 逆偏：

一般作為線性放大電路使用。又稱為順向主動區。

$I_E=I_B+I_C$

$I_C=\beta I_B$

(3) $J_E$ 逆偏和 $J_C$ 順偏：

此為逆向主動區。 $I_C=I_B+I_E$

(4) $J_E$ 逆偏和 $J_C$ 逆偏：

$I_E=I_B=I_C=0$

此時電晶體為截止（OFF）狀態。