電流 Electric Current：
電流的單位：安培（Ampere，A）
電流密度 Current density：
漂移速度 drift speed：
電阻（resistance, 
電阻為一個物體的性質。
電阻率為一個材料的性質。
電阻：
電阻的符號：
電阻率：
導電率（conductivity）：
歐姆定律的本質是在於 V 與 I 是線性關係。 R 與 V 無關。
如果我們看導體的材料，而不是看導體的裝置。那 
電路迴路中的功率：
功率的單位：瓦特（Watt，W）
【其他補充資料】：
因為電費帳單的關係我們常會把【仟瓦小時】當成是電單位。
一度電：一仟瓦小時，功率1仟瓦的電器，連續使用一小時，電表使用為『1度電』。
電暖器消耗功率為1200W，也就是說，當此電器連續使用1小時的時候，電表會跑1.2度
瓩：仟瓦
電器耗電量 1kW，使用電壓為 110V ....表示消耗電流為
【其他補充資料-2】：
市售延長線容許電流為 15A，最大功率大多為 1650W，如下圖所示。家用配電一個無熔絲開關可通過電流為 20A 或 30A。
下圖中，插座容許電流為 15A，延長線容許電流為 12A。延長線插座接了三個電器（電鍋 660W，熱水瓶 660W，電熨斗 770W），台電供應的電壓為 110V。
計算得到電鍋耗電 
因此，使用延長插座，務必小心！
提醒：一般家用電器，會發熱的，大都是高耗電電器～～
例如：電暖器、烤箱、微波爐、電熱水器、吹風機、......。
可以網路查詢相關電器用品的功率，計算連續使用一小時，會消耗多少度的電～
半導體（semiconductors）：
對於導體
當溫度下降時，m、e、n不變，
半導體之所以可以導電，不是因為自由電子。半導體的價電子吸收熱之後，被激發而可以運動。當溫度下降，可被激發起來的電子數量減少，因此電阻率變大。
導體與半導體導電機制不同。因此，當溫度升高（或降低），其電阻率變大（或變小）的效應也會不同。
（1）半導體
原子：
原子核：
質子：帶正電（PS：質子帶的電量 與 電子帶的電量相同！）
中子：不帶電
電子：帶負電
離子：
當原子因為某種原因而獲得（多出）或失去（少掉）一個或多個最外層電子時，此原子即變成一個“離子”。
價電子：
電子軌域 s、p、d、f、g、…
最外層軌道上的電子
半導體（Semiconductor）：
導體、絕緣體、半導體
四價元素（週期表中IVA族元素）外層有4個價電子
矽 Si、鍺 Ge—四價元素
各提供一個電子組成共價鍵
（2）二極體
摻雜（Doping）：
P型半導體：
摻雜三價元素（硼B、鋁 Al、鎵 Ga、…）
P 表示positive；電洞可視為正電荷。
由於加入三價元素後會造成一個空缺，故三價元素又被稱為“受體原子”。
N型半導體：
摻雜五價元素（磷P、砷 As、碲 Ti、…）
N 表示negative；電子帶負電。
由於加入五價元素後會增加電子，故五價元素又被稱為“施體原子”。
PN二極體：
當P-N結合起來時，接合面（P-N junction）附近的電子會填入電洞中。
靠近接合面的N形半導體失去了電子後便成正離子，P形半導體失去了一些電洞後就變成負離子。
此時正離子會排斥電洞，負離子會排斥電子，從而阻止了電子與電洞的繼續結合，因而產生平衡狀態，使得作用不再發生。
在PN接合面（P-N junction）附近沒有載體（電子或電洞），只有離子之區域稱為空乏區（depletion region）
加偏壓：
順向偏壓：空乏區變小
逆向偏壓：空乏區變大
超導體（superconductors）：
歷史上第一個發現的超導體：1911年，荷蘭科學家Kamerlingh Onnes發現約在4K時，水銀（汞，Hg）的電阻率會消失。這表示…當電荷在超導體中流動時，能量不會以熱能的方式消失損耗。
1908年，Onnes將氦（He）液化，4.2K。