（1）半導體
原子：
原子核：
質子：帶正電（PS：質子帶的電量 與 電子帶的電量相同！）
中子：不帶電
電子：帶負電
離子：
當原子因為某種原因而獲得（多出）或失去（少掉）一個或多個最外層電子時，此原子即變成一個“離子”。
價電子：
電子軌域 s、p、d、f、g、…
最外層軌道上的電子
半導體（Semiconductor）：
導體、絕緣體、半導體
四價元素（週期表中IVA族元素）外層有4個價電子
矽 Si、鍺 Ge—四價元素
各提供一個電子組成共價鍵
（2）二極體
摻雜（Doping）：
P型半導體：
摻雜三價元素（硼B、鋁 Al、鎵 Ga、…）
P 表示positive；電洞可視為正電荷。
由於加入三價元素後會造成一個空缺，故三價元素又被稱為“受體原子”。
N型半導體：
摻雜五價元素（磷P、砷 As、碲 Ti、…）
N 表示negative；電子帶負電。
由於加入五價元素後會增加電子，故五價元素又被稱為“施體原子”。
PN二極體：
當P-N結合起來時，接合面（P-N junction）附近的電子會填入電洞中。
靠近接合面的N形半導體失去了電子後便成正離子，P形半導體失去了一些電洞後就變成負離子。
此時正離子會排斥電洞，負離子會排斥電子，從而阻止了電子與電洞的繼續結合，因而產生平衡狀態，使得作用不再發生。
在PN接合面（P-N junction）附近沒有載體（電子或電洞），只有離子之區域稱為空乏區（depletion region）
加偏壓：
順向偏壓：空乏區變小
逆向偏壓：空乏區變大
（一）量測順向電壓降 
1) 接線如圖（紅色測試棒接到 VΩ插座，黑色測試棒接到 COM 插座）。
2) 功能範圍選擇開關，選在 ->– 位置。
3) 測試棒另外兩端與二極體並聯。
紅色測試棒另一端接二極體的 P 極，黑色測試棒另 一端接二極體的 N 極。
4) 從液晶顯示器讀取的值為二極體的順向電壓降（
YF1000量二極體
5) 若接線錯誤，紅色測試棒另一端接二極體的 N 極，黑色測試棒另 一端接二極體的 P 極。則三用電表會顯示：
（二）順向偏壓：（可以用三用電表替代安培計與伏特計）
（三）逆向偏壓：
補充：漏電電流
實際的P-N接合面再加上逆向偏壓時，會有一“極小”之電流存在。稱此電流為“漏電電流”。
與逆向偏壓之大小無關，卻與溫度有關。無論鍺或矽，每當溫度升高十度， 
提醒：以實驗室目前使用的二極體（編號1N4004），我們量不到崩潰電壓喔～
（3）電晶體
在兩塊P型半導體中間夾一塊薄的N型半導體，或是在兩塊N型半導體中間夾一塊薄的P型半導體，就形成雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT），依其結構來區分，有PNP電晶體或NPN電晶體兩種。
電晶體有三個接腳，分別為基極（Base，B）、集極（Collector，C）和射極（Emitter，E）。
射極（Emitter；E）為專門發射電子或電洞；
集極（Collector；C）為專門收集電子或電洞，
基極（Base；B）則是控制電流大小。
利用三用電表找出B腳：
 【導通】 |
 【斷路】 |
 【斷路】 |
 【導通】 |
確認E、C腳位：找出數值最大的那個（這個數值為 
 NPN |
 NPN |
 PNP |
 PNP |
電晶體偏壓電路
NPN電晶體接線法
想想看，如果是PNP電晶體又該如何接線？
補充資料：電晶體的三個工作區
1-先確認所有旋鈕歸零（逆時針轉到底）。
2-確認【INDEP】模式。
3-按下電源開關【POWER】按鍵，開啟電源供應器。
4-先將電流調整旋鈕【CURRENT】順時針 轉到C.V.燈亮起。
5-調整電壓調整懸鈕【VOLTAGE】到需要的電壓值。